「 2.5 mohm-cm 超低電阻重摻砷矽單晶基板材料開發計畫」,榮獲科學工業園區創新技術研究發展計劃獎助

今年上半年營運表現亮麗的中美矽晶(5483),在研發及創新方面再度展現其國際水準實力,日前以「2.5 mohm-cm 超低電阻重摻砷矽單晶基板技術研發計畫」獲得「科學工業園區創新技術研究發展計畫」獎助。

 

2.5 mohm-cm 超低電阻晶圓之晶體生長的條件較目前國際水準之低電阻重摻砷單晶基板之生長條件(電阻3.0mohm-cm)更為嚴格,中美矽晶研發團隊面臨更高的技術考驗,以期能在功率元件市場起飛的初期發展出高良率的生產製程,達到市場的要求。

 

國內的功率半導體產業極具發展潛力,是為全球資訊、通訊、消費性產品的製造重鎮,而功率半導體產品又以Power IC及Power Transistor為主;超低阻值是下一代功率半導體產品對於基板(substrate)的需求,其範圍約在1~5mohm-cm。

 

超低阻值重摻砷晶圓乃一整合性技術,必須結合電阻的控制、軸向氧含量的控制、徑向電阻變化率、徑向氧含量變化率、熱場的設計、Sthamas熱場模擬、Poly Seal On Backside(Poly Back)等特殊技術,才能產出功率半導體產品所需之基板。

 

中美矽晶多年來不斷投入資金加強技術及產品的開發,相信在新產品的激勵及市場需求的帶動下,必能維持長期競爭優勢,並逐步爭取相關產業市場之先機。

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