類角型単結晶ウェハ
類角型単結晶ウェハ
類角型単結晶ウェハ

- G1P Mono wafer

類正方形単結晶ウェハは高変換率の太陽光発電用装置に最適なソリューションを提供します。 25 年以上に渡り半導体においての優秀な生産技術により、全ての単結晶ウェハは高い結晶品質を確保しており、また一流の成果を出すことをお約束します。
類角型単結晶ウェハ

G1 | Unit | |
---|---|---|
Diameter | 223±0.25 | |
Square Length | 158.75±0.25 | mm |
Angle Length | 1.07±0.5 | mm |
Ingot Growing Method | CZ | |
Dopant Type | Boron | |
Conductivity | P | |
Orientation | ‹100›±3° | |
Resistivity | 0.5-1.5 | Ohm.cm |
Thickness | 180+20/-10 175+20/-10 170+20/-10 | um |