真四角単結晶ウェハ

真四角単結晶ウェハ

たくみで完璧な仕上げ品のような正方形単結晶ウェハは日照面積を最大化して、多結晶ウェハと同じレベルとなる。なお、正方形の設計でモジュール内のセル配列を最適化します。

真四角単結晶ウェハ

Genral Spec.Unit
Square Length156+/-0.5mm
Chord Length0.5-2mm
Ingot Growing MethodCZ
Dopant TypeBoron ; Phos
ConductivityP ; N
Orientation<100>+/-3degree
Resistivity0.5-3 ; 3-6Ohm.cm
Thickness180+/-20,200+/-20 um